NECs MRAM

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NEC ist einer der wenigen die entgegen aller Konkurrenz die an einer Vereinigung von DRAM und Flash arbeitet, Forschungen am „Magnetoresistive Random Access Memory“ weiter betreibt.

Das Problem ist folgendes: Flash-Speicher verliert keine Informationen, wenn keine Spannung anliegt. Er ist aber weit langsamer als herkömmlicher DRAM-Speicher. NEC möchte also Speicherbausteine mit hoher Geschwindigkeit beschreiben und diese Infos nicht auf elektrischer sondern auf magnetischer Basis speichern. Im Endeffekt sollte man einen Speicher erstellen der als Arbeits- wie auch als Massenspeicher arbeiten kann.
Problem an der Sache ist aber der enorme Energiebedarf beim Beschreiben des Speichers, der sich derzeit auf 1 mA beläuft.

Allerdings hat NEC bei der Geschwindigkeit deutliche Fortschritte gemacht. Nun läuft der Speicher mit 400 MHz und NEC ist zuversichtlich ihn noch auf 1 GHz zu steigern.

Gedacht ist die neue MRAM-Generation vor allem für Unterhaltungselektronik und mobile Geräte wie Smartphones. Bei Ersteren sollen die Chips auch im Stand-by vollständig abgeschaltet werden, bei Letzteren die höhere Integration Vorteile bringen. Statt eigener Speicherchips strebt NEC den Bau von Systems-on-a-Chip (SoCs) an, auf denen MRAM-Zellen integriert werden können. Das klappt bereits mit Halbleitern mit vier Metalllagen.

NEC macht noch keine Ansagen zur Serienreife. Allerdings gilt es auch noch sich gegen PRAM, FeRAM, der Memristor und seit neuestem CMOx durchzusetzten.

Quelle: golem

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